SIHH100N60E-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Numero di parte: SIHH100N60E-T1-GE3
fabbricante: Vishay Siliconix
Breve descrizione: MOSFET E SERIES 600V POWERPAK 8X
Stato senza piombo / Stato RoHS: Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica: SIHH100N60E-T1-GE3 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica: -
Categoria: Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna: 1 Day
Codice data: New
Quantità di stock: 42722 pcs
Prezzo di riferimento: USD 3.85385/pcs
Il nostro prezzo: Invia per e-mail: [email protected]

Numero di parte	SIHH100N60E-T1-GE3
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	28A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	53nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1850pF @ 100V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	174W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerPAK® 8 x 8
Pacchetto / caso	8-PowerTDFN
Peso	-
Paese d'origine	-

Immagine	Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
	SIHH100N60E-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET E SERIES 600V POWERPAK 8X	Dettagli