SIHH100N60E-T1-GE3

SIHH100N60E-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Artikelnummer
SIHH100N60E-T1-GE3
Hersteller
Vishay Siliconix
Kurze Beschreibung
MOSFET E SERIES 600V POWERPAK 8X
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
42722 pcs
Referenzpreis
USD 3.85385/pcs
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SIHH100N60E-T1-GE3 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer SIHH100N60E-T1-GE3
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 28A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 53nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1850pF @ 100V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 174W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 8 x 8
Paket / Fall 8-PowerTDFN
Gewicht -
Ursprungsland -

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