SIHG14N50D-E3 - Vishay Siliconix

Numero di parte	SIHG14N50D-E3
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	14A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	58nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1144pF @ 100V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	400 mOhm @ 7A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-247AC
Pacchetto / caso	TO-247-3
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
SIHG100N60E-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET E SERIES 600V TO247AC	Dettagli
SIHG11N80E-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 800V 12A TO247AC	Dettagli
SIHG120N60E-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET E SERIES 600V TO247AC	Dettagli
SIHG14N50D-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC	Dettagli
SIHG14N50D-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC	Dettagli
SIHG15N60E-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 600V 15A TO247AC	Dettagli
SIHG16N50C-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 500V 16A TO-247AC	Dettagli
SIHG17N60D-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 600V 17A TO247AC	Dettagli
SIHG17N60D-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 600V 17A TO247AC	Dettagli
SIHG17N80E-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CHAN 850V TO-247AC	Dettagli