| Numero di parte | SIHG120N60E-GE3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 25A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 12A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1562pF @ 100V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 179W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247AC |
| Pacchetto / caso | TO-247-3 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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SIHG100N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET E SERIES 600V TO247AC | Dettagli |
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SIHG11N80E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 12A TO247AC | Dettagli |
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SIHG120N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET E SERIES 600V TO247AC | Dettagli |
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SIHG14N50D-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC | Dettagli |
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SIHG14N50D-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC | Dettagli |
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SIHG15N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 15A TO247AC | Dettagli |
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SIHG16N50C-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 16A TO-247AC | Dettagli |
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SIHG17N60D-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 17A TO247AC | Dettagli |
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SIHG17N60D-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 17A TO247AC | Dettagli |
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SIHG17N80E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 850V TO-247AC | Dettagli |
