| Numero di parte | SIHF18N50C-E3 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 18A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 76nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2942pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 38W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270 mOhm @ 10A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3 |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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SIHF10N40D-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 400V 10A TO-220 FPAK | Dettagli |
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SIHF12N50C-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 12A TO-220 | Dettagli |
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SIHF12N60E-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP | Dettagli |
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SIHF12N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP | Dettagli |
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SIHF12N65E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 12A TO-220 | Dettagli |
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SIHF15N60E-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 15A TO220 FULLP | Dettagli |
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SIHF15N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 15A TO220 FULLP | Dettagli |
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SIHF15N65E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 15A TO220AB | Dettagli |
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SIHF16N50C-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 16A TO-220 | Dettagli |
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SIHF18N50C-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 18A TO220 | Dettagli |
