SIHD2N80E-GE3 - Vishay Siliconix

Numero di parte	SIHD2N80E-GE3
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	2.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.75 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	19.6nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	315pF @ 100V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	62.5W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	D-PAK (TO-252AA)
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso	-
Paese d'origine	-

Immagine	Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
	SIHD240N60E-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CHAN 600V DPAK TO-252	Dettagli
	SIHD2N80E-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK	Dettagli