SIHD2N80E-GE3 - Vishay Siliconix

Artikelnummer	SIHD2N80E-GE3
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	800V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	2.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	2.75 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	19.6nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	315pF @ 100V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	62.5W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	D-PAK (TO-252AA)
Paket / Fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Bild	Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
	SIHD240N60E-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CHAN 600V DPAK TO-252	Einzelheiten
	SIHD2N80E-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK	Einzelheiten