SI8451DB-T2-E1

SI8451DB-T2-E1 - Vishay Siliconix

Numero di parte
SI8451DB-T2-E1
fabbricante
Vishay Siliconix
Breve descrizione
MOSFET P-CH 20V 10.8A MICROFOOT
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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SI8451DB-T2-E1 Descrizione dettagliata

Numero di parte SI8451DB-T2-E1
Stato parte Obsolete
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 10.8A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 750pF @ 10V
Vgs (massimo) ±8V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 1A, 4.5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 6-Micro Foot™
Pacchetto / caso 6-MICRO FOOT™
Peso -
Paese d'origine -

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