SI8451DB-T2-E1

SI8451DB-T2-E1 - Vishay Siliconix

Número de pieza
SI8451DB-T2-E1
Fabricante
Vishay Siliconix
Breve descripción
MOSFET P-CH 20V 10.8A MICROFOOT
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
SI8451DB-T2-E1 Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
SI8451DB-T2-E1.pdf
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
4257 pcs
Precio de referencia
USD 0/pcs
Nuestro precio
Enviar por correo electrónico: [email protected]

Por favor complete el siguiente formulario para solicitar un presupuesto para SI8451DB-T2-E1

SI8451DB-T2-E1 Descripción detallada

Número de pieza SI8451DB-T2-E1
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 10.8A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 750pF @ 10V
Vgs (Max) ±8V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 1A, 4.5V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor 6-Micro Foot™
Paquete / caja 6-MICRO FOOT™
Peso -
País de origen -

PRODUCTOS RELACIONADOS PARA SI8451DB-T2-E1