| Numero di parte | SI7388DP-T1-E3 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.6V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.9W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 mOhm @ 19A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 |
| Pacchetto / caso | PowerPAK® SO-8 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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SI7380ADP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 | Dettagli |
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SI7380ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 | Dettagli |
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SI7382DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8 | Dettagli |
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SI7384DP | VISHAY | N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET | Dettagli |
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SI7384DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8 | Dettagli |
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SI7384DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8 | Dettagli |
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SI7386DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8 | Dettagli |
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SI7386DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8 | Dettagli |
