| Artikelnummer | SI7388DP-T1-E3 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.6V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 1.9W (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 7 mOhm @ 19A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® SO-8 |
| Paket / Fall | PowerPAK® SO-8 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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SI7380ADP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 | Einzelheiten |
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SI7386DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8 | Einzelheiten |
