SI7326DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Numero di parte	SI7326DN-T1-GE3
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	6.5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (massimo)	±25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	19.5 mOhm @ 10A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerPAK® 1212-8
Pacchetto / caso	PowerPAK® 1212-8
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
SI7320DN-T1-E3	VISHAY	SI7320DN-T1-E3 VISHAY QFN8 New Original Stocks	Dettagli
SI7321M	ORIGINAL	SI7321M ORIGINAL SOP44 New Original Stocks	Dettagli
SI7322ADN-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 15.1A 1212-8	Dettagli
SI7322DN-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 18A PPAK 1212-8	Dettagli
SI7322DN-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 18A 1212-8	Dettagli
SI7326DN	VISHAY	SI7326DN VISHAY QFN New Original Stocks	Dettagli
SI7326DN-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8	Dettagli
SI7326DN-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8	Dettagli
SI7328DN-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8	Dettagli
SI7328DN-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8	Dettagli