| Numero di parte | SI7106DN-T1-GE3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12.5A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (massimo) | ±12V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.2 mOhm @ 19.5A, 4.5V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® 1212-8 |
| Pacchetto / caso | PowerPAK® 1212-8 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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SI7100DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 8V 35A 1212-8 | Dettagli |
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SI7100DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8 | Dettagli |
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SI7101DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8 | Dettagli |
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SI7102DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8 | Dettagli |
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SI7102DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8 | Dettagli |
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SI7104DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8 | Dettagli |
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SI7104DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8 | Dettagli |
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SI7106DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8 | Dettagli |
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SI7106DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8 | Dettagli |
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SI7107DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8 | Dettagli |
