| Numero di parte | SI7100DN-T1-GE3 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 105nC @ 8V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3810pF @ 4V |
| Vgs (massimo) | ±8V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 3.8W (Ta), 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5 mOhm @ 15A, 4.5V |
| temperatura di esercizio | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® 1212-8 |
| Pacchetto / caso | PowerPAK® 1212-8 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
|
SI7100DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 8V 35A 1212-8 | Dettagli |
|
SI7100DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8 | Dettagli |
|
SI7101DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8 | Dettagli |
|
SI7102DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8 | Dettagli |
|
SI7102DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8 | Dettagli |
|
SI7104DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8 | Dettagli |
|
SI7104DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8 | Dettagli |
|
SI7106DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8 | Dettagli |
|
SI7106DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8 | Dettagli |
|
SI7107DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8 | Dettagli |
