| Numero di parte | SI5903DC-T1-GE3 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.1A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 155 mOhm @ 2.1A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 600mV @ 250µA (Min) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Potenza - Max | 1.1W |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 8-SMD, Flat Lead |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 1206-8 ChipFET™ |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
SI5902BDC | VISHAY | Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET | Dettagli |
|
SI5902BDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8 | Dettagli |
|
SI5902BDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8 | Dettagli |
|
Si5902DC | VISHAY | Si5902DC VISHAY 1206A-.. New Original Stocks | Dettagli |
|
SI5902DC-T1 | VISHAY | Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET | Dettagli |
|
SI5902DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 1206-8 | Dettagli |
|
Si5903DC | VISHAY | Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET | Dettagli |
|
Si5903DC-T1 | VISHAY | Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET | Dettagli |
|
SI5903DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8 | Dettagli |
|
SI5903DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8 | Dettagli |
