| Artikelnummer | SI5903DC-T1-GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 2.1A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 155 mOhm @ 2.1A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 600mV @ 250µA (Min) |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Leistung max | 1.1W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SMD, Flat Lead |
| Lieferantengerätepaket | 1206-8 ChipFET™ |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
SI5902BDC | VISHAY | Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET | Einzelheiten |
|
SI5902BDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8 | Einzelheiten |
|
SI5902BDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8 | Einzelheiten |
|
Si5902DC | VISHAY | Si5902DC VISHAY 1206A-.. New Original Stocks | Einzelheiten |
|
SI5902DC-T1 | VISHAY | Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET | Einzelheiten |
|
SI5902DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 1206-8 | Einzelheiten |
|
Si5903DC | VISHAY | Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET | Einzelheiten |
|
Si5903DC-T1 | VISHAY | Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET | Einzelheiten |
|
SI5903DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8 | Einzelheiten |
|
SI5903DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8 | Einzelheiten |
