| Numero di parte | SI5858DU-T1-E3 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 8V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 520pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±8V |
| Caratteristica FET | Schottky Diode (Isolated) |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.3W (Ta), 8.3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39 mOhm @ 4.4A, 4.5V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® ChipFet Dual |
| Pacchetto / caso | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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