| Artikelnummer | SI5858DU-T1-E3 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 520pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| FET-Eigenschaft | Schottky Diode (Isolated) |
| Verlustleistung (Max) | 2.3W (Ta), 8.3W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 39 mOhm @ 4.4A, 4.5V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® ChipFet Dual |
| Paket / Fall | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
SI5853CDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8 | Einzelheiten |
 |
SI5853DC | VISHAY | SI5853DC VISHAY SOT-8 New Original Stocks | Einzelheiten |
|
SI5853DC-T1 | VISHAY | SI5853DC-T1 VISHAY 1206-8 New Original Stocks | Einzelheiten |
|
SI5853DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8 | Einzelheiten |
|
SI5853DDC | Vishay | SI5853DDC Vishay 1206-8 New Original Stocks | Einzelheiten |
|
SI5853DDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8 | Einzelheiten |
|
SI5855CDC | VISHAY | P-Channel 20-V (D-S) MOSFET With Schottky Diode | Einzelheiten |
|
SI5855CDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 3.7A 1206-8 | Einzelheiten |
|
SI5855DC | VISHAY | P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET With Schottky Diode | Einzelheiten |
|
SI5855DC-T1 | VISHAY | P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET With Schottky Diode | Einzelheiten |
