| Numero di parte | SI4850EY-T1-GE3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.7W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 6A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
|
SI4850BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V SO-8 | Dettagli |
 |
SI4850DY | SILICONX | SI4850DY SILICONX SOP/8 New Original Stocks | Dettagli |
|
SI4850DY-T1-E3 | VISHAY | SI4850DY-T1-E3 VISHAY SOP8 New Original Stocks | Dettagli |
|
SI4850DY-T1-E3. | V | SI4850DY-T1-E3. V SOP-8 New Original Stocks | Dettagli |
|
SI4850EY | VISHAY | SI4850EY VISHAY SOP-8 New Original Stocks | Dettagli |
|
SI4850EY-E3 | VISHAY | N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET | Dettagli |
|
SI4850EY-T1 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 6A 8-SOIC | Dettagli |
|
SI4850EY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 6A 8-SOIC | Dettagli |
|
SI4850EY-T1-E3. | V | SI4850EY-T1-E3. V SOP-8 New Original Stocks | Dettagli |
|
SI4850EY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 6A 8-SOIC | Dettagli |
