SI4850EY-T1-GE3 Descripción detallada
Número de pieza |
SI4850EY-T1-GE3 |
Estado de la pieza |
Active |
Tipo de FET |
N-Channel |
Tecnología |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) |
60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C |
6A (Ta) |
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) |
4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
3V @ 250µA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs |
27nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds |
- |
Vgs (Max) |
±20V |
Característica FET |
- |
Disipación de potencia (Máx) |
1.7W (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
22 mOhm @ 6A, 10V |
Temperatura de funcionamiento |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje |
Surface Mount |
Paquete de dispositivo del proveedor |
8-SO |
Paquete / caja |
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Peso |
- |
País de origen |
- |
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