SI4850EY-T1-GE3

SI4850EY-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Número de pieza
SI4850EY-T1-GE3
Fabricante
Vishay Siliconix
Breve descripción
MOSFET N-CH 60V 6A 8-SOIC
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
6250 pcs
Precio de referencia
USD 0.6822/pcs
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SI4850EY-T1-GE3 Descripción detallada

Número de pieza SI4850EY-T1-GE3
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 6A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 1.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22 mOhm @ 6A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor 8-SO
Paquete / caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Peso -
País de origen -

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