SI4420BDY-T1-E3 - Vishay Siliconix

Numero di parte	SI4420BDY-T1-E3
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	9.5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	50nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.5 mOhm @ 13.5A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SO
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
SI4420	VISHAY	SI4420 VISHAY SOP-8 New Original Stocks	Dettagli
SI4420-D1-FT	Silicon Labs	IC RF TXRX ISM<1GHZ 16-TSSOP	Dettagli
SI4420-D1-FTR	Silicon Labs	IC RF TXRX ISM<1GHZ 16-TSSOP	Dettagli
SI4420B	VISHAY	SI4420B VISHAY SOP-8 New Original Stocks	Dettagli
SI4420BDY	VISHAY	SI4420BDY VISHAY SOP-8 New Original Stocks	Dettagli
SI4420BDY-T1	VISHAY	SI4420BDY-T1 VISHAY SOP-8 New Original Stocks	Dettagli
SI4420BDY-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC	Dettagli
SI4420BDY-T1-E3.	V	SI4420BDY-T1-E3. V SO8 New Original Stocks	Dettagli
SI4420BDY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC	Dettagli
SI4420BDY_06	VISHAY	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET	Dettagli