SI4420BDY-T1-E3 - Vishay Siliconix

Artikelnummer	SI4420BDY-T1-E3
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	9.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	50nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	1.4W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	8.5 mOhm @ 13.5A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	8-SO
Paket / Fall	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
SI4420	VISHAY	SI4420 VISHAY SOP-8 New Original Stocks	Einzelheiten
SI4420-D1-FT	Silicon Labs	IC RF TXRX ISM<1GHZ 16-TSSOP	Einzelheiten
SI4420-D1-FTR	Silicon Labs	IC RF TXRX ISM<1GHZ 16-TSSOP	Einzelheiten
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SI4420BDY	VISHAY	SI4420BDY VISHAY SOP-8 New Original Stocks	Einzelheiten
SI4420BDY-T1	VISHAY	SI4420BDY-T1 VISHAY SOP-8 New Original Stocks	Einzelheiten
SI4420BDY-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC	Einzelheiten
SI4420BDY-T1-E3.	V	SI4420BDY-T1-E3. V SO8 New Original Stocks	Einzelheiten
SI4420BDY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC	Einzelheiten
SI4420BDY_06	VISHAY	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET	Einzelheiten