SI4058DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Numero di parte	SI4058DY-T1-GE3
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	10.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	26 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	690pF @ 50V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	5.6W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SOIC
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
SI4055-C2A-GM	Silicon Labs	TRANSMITTER RF EZRADIO PRO 20QFN	Dettagli
SI4055-C2A-GMR	Silicon Labs	TRANSMITTER RF EZRADIO PRO 20QFN	Dettagli
SI4056DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SOIC	Dettagli
SI4058DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC	Dettagli