SI3451DV-T1-GE3

SI3451DV-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Numero di parte
SI3451DV-T1-GE3
fabbricante
Vishay Siliconix
Breve descrizione
MOSFET P-CH 20V 2.8A 6-TSOP
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
SI3451DV-T1-GE3 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
4235 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0/pcs
Il nostro prezzo
Invia per e-mail: [email protected]

Si prega di compilare il modulo sottostante per richiedere un preventivo per SI3451DV-T1-GE3

SI3451DV-T1-GE3 Descrizione dettagliata

Numero di parte SI3451DV-T1-GE3
Stato parte Obsolete
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.8A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.1nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 10V
Vgs (massimo) ±12V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 115 mOhm @ 2.6A, 4.5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 6-TSOP
Pacchetto / caso SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Peso -
Paese d'origine -

PRODOTTI CORRELATI PER SI3451DV-T1-GE3