SI3451DV-T1-GE3 Description détaillée
Numéro d'article |
SI3451DV-T1-GE3 |
État de la pièce |
Obsolete |
FET Type |
P-Channel |
La technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension de source (Vdss) |
20V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C |
2.8A (Tc) |
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) |
2.5V, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
1.5V @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs |
5.1nC @ 5V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds |
250pF @ 10V |
Vgs (Max) |
±12V |
FET Caractéristique |
- |
Dissipation de puissance (Max) |
1.25W (Ta), 2.1W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
115 mOhm @ 2.6A, 4.5V |
Température de fonctionnement |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage |
Surface Mount |
Package de périphérique fournisseur |
6-TSOP |
Paquet / cas |
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Poids |
- |
Pays d'origine |
- |
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