SI3451DV-T1-GE3

SI3451DV-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Numéro d'article
SI3451DV-T1-GE3
Fabricant
Vishay Siliconix
Brève description
MOSFET P-CH 20V 2.8A 6-TSOP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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1 Day
Code de date
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SI3451DV-T1-GE3 Description détaillée

Numéro d'article SI3451DV-T1-GE3
État de la pièce Obsolete
FET Type P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 2.8A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 5.1nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 10V
Vgs (Max) ±12V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 115 mOhm @ 2.6A, 4.5V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 6-TSOP
Paquet / cas SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Poids -
Pays d'origine -

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