SI2334DS-T1-GE3

SI2334DS-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Numero di parte
SI2334DS-T1-GE3
fabbricante
Vishay Siliconix
Breve descrizione
MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT-23
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
112554 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.2302/pcs
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SI2334DS-T1-GE3 Descrizione dettagliata

Numero di parte SI2334DS-T1-GE3
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.9A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 634pF @ 15V
Vgs (massimo) ±8V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1.3W (Ta), 1.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 44 mOhm @ 4.2A, 4.5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23-3 (TO-236)
Pacchetto / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso -
Paese d'origine -

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