SI2333-TP - Micro Commercial Co

Numero di parte	SI2333-TP
Stato parte	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	6A
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1275pF @ 6V
Vgs (massimo)	±8V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	350mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs	150 mOhm @ 500mA, 1.5V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SOT-23
Pacchetto / caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
SI2018	SI	SI2018 SI QFN-16 New Original Stocks	Dettagli
SI2031	SI	SI2031 SI TSSOP1.. New Original Stocks	Dettagli
SI2032	SI	SI2032 SI QFN-12 New Original Stocks	Dettagli
SI21108DT-T1-E3	VISHAY	SI21108DT-T1-E3 VISHAY SOP-8 New Original Stocks	Dettagli
SI2111-A10-GM	Silicon Labs	IC SAT TV RCVR DVB-T 48-QFN	Dettagli
SI2111-A10-GMR	Silicon Labs	IC SAT TV RCVR DVB-T 48-QFN	Dettagli
SI2113-A10-GM	Silicon Labs	IC SAT TV RCVR DVB-C 48-QFN	Dettagli
SI2113-A10-GMR	Silicon Labs	IC SAT TV RCVR DVB-C 48-QFN	Dettagli
SI2115-A10-GM	Silicon Labs	IC SAT TV RCVR DVB-T/C 48-QFN	Dettagli
SI2115-A10-GMR	Silicon Labs	IC SAT TV RCVR DVB-T/C 48-QFN	Dettagli