| Numero di parte | SI1013X-T1-E3 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 350mA (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.5nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (massimo) | ±6V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 250mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SC-89-3 |
| Pacchetto / caso | SC-89, SOT-490 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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SI1011X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V SC-89 | Dettagli |
