| Numero di parte | SI1011X-T1-GE3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.2V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 62pF @ 6V |
| Vgs (massimo) | ±5V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 190mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 640 mOhm @ 400mA, 4.5V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SC-89-3 |
| Pacchetto / caso | SC-89, SOT-490 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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SI1011X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V SC-89 | Dettagli |
