| Artikelnummer | SI1011X-T1-GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 12V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | - |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 1.2V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 62pF @ 6V |
| Vgs (Max) | ±5V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 190mW (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 640 mOhm @ 400mA, 4.5V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SC-89-3 |
| Paket / Fall | SC-89, SOT-490 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
SI1010-A-GM | Silicon Labs | IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN | Einzelheiten |
|
SI1010-A-GMR | Silicon Labs | IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN | Einzelheiten |
 |
SI1010-C-GM2 | Silicon Labs | IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-VFLGA | Einzelheiten |
|
SI1010-C-GM2R | Silicon Labs | IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-VFLGA | Einzelheiten |
 |
SI1010DK | Silicon Labs | DEVELOPMENT KIT SI101X | Einzelheiten |
|
SI1011-A-GM | Silicon Labs | IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN | Einzelheiten |
|
SI1011-A-GMR | Silicon Labs | IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN | Einzelheiten |
|
SI1011-C-GM2 | Silicon Labs | IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-VFLGA | Einzelheiten |
|
SI1011-C-GM2R | Silicon Labs | IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-VFLGA | Einzelheiten |
|
SI1011X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V SC-89 | Einzelheiten |
