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| Numero di parte | IRLR110TRR |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.3A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4V, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.1nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±10V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540 mOhm @ 2.6A, 5V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D-Pak |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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IRLR014 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK | Dettagli |
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