IRLR014PBF - Vishay Siliconix

Numero di parte	IRLR014PBF
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	7.7A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4V, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.4nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	400pF @ 25V
Vgs (massimo)	±10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	200 mOhm @ 4.6A, 5V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	D-Pak
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
IRLR014	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK	Dettagli
IRLR014N	IR	IRLR014N IR TO-252 New Original Stocks	Dettagli
IRLR014NPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 10A DPAK	Dettagli
IRLR014NTR	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 10A DPAK	Dettagli
IRLR014NTRL	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 10A DPAK	Dettagli
IRLR014NTRPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 10A DPAK	Dettagli
IRLR014NTRR	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 10A DPAK	Dettagli
IRLR014PBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK	Dettagli
IRLR014TR	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK	Dettagli
IRLR014TRL	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK	Dettagli