| Numero di parte | IRFP27N60KPBF |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 27A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 180nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4660pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 500W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 220 mOhm @ 16A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-3 |
| Pacchetto / caso | TO-247-3 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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IRFP21N60L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 21A TO-247AC | Dettagli |
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IRFP21N60LPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 21A TO-247AC | Dettagli |
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IRFP22N50A | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 22A TO-247AC | Dettagli |
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IRFP22N50APBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 22A TO-247AC | Dettagli |
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IRFP22N50APBFXKMA1 | Infineon Technologies | PLANAR 100V | Dettagli |
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IRFP22N60C3PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 22A TO-247AC | Dettagli |
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IRFP22N60K | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 22A TO-247AC | Dettagli |
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IRFP22N60KPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 22A TO-247AC | Dettagli |
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IRFP23N50L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 23A TO-247AC | Dettagli |
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IRFP23N50LPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 23A TO-247AC | Dettagli |
