IRFP22N60KPBF - Vishay Siliconix

Numero di parte	IRFP22N60KPBF
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	22A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	150nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3570pF @ 25V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	370W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	280 mOhm @ 13A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-247-3
Pacchetto / caso	TO-247-3
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
IRFP21N60L	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 600V 21A TO-247AC	Dettagli
IRFP21N60LPBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 600V 21A TO-247AC	Dettagli
IRFP22N50A	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 500V 22A TO-247AC	Dettagli
IRFP22N50APBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 500V 22A TO-247AC	Dettagli
IRFP22N50APBFXKMA1	Infineon Technologies	PLANAR 100V	Dettagli
IRFP22N60C3PBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 650V 22A TO-247AC	Dettagli
IRFP22N60K	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 600V 22A TO-247AC	Dettagli
IRFP22N60KPBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 600V 22A TO-247AC	Dettagli
IRFP23N50L	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 500V 23A TO-247AC	Dettagli
IRFP23N50LPBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 500V 23A TO-247AC	Dettagli