| Numero di parte | IRFBE20STRL |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.8A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 530pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 Ohm @ 1.1A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
| Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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IRFB11N50A | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 11A TO-220AB | Dettagli |
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IRFB11N50APBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 11A TO-220AB | Dettagli |
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IRFB13N50A | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 14A TO-220AB | Dettagli |
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IRFB13N50APBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 14A TO-220AB | Dettagli |
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IRFB16N50K | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 17A TO-220AB | Dettagli |
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IRFB16N50KPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 17A TO-220AB | Dettagli |
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IRFB16N60L | VISHAY | Power MOSFET | Dettagli |
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IRFB16N60LPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 16A TO-220AB | Dettagli |
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IRFB17N20D | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 16A TO-220AB | Dettagli |
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IRFB17N50L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 16A TO-220AB | Dettagli |
