IRFBE20STRL

IRFBE20STRL - Vishay Siliconix

Número de pieza
IRFBE20STRL
Fabricante
Vishay Siliconix
Breve descripción
MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
4343 pcs
Precio de referencia
USD 0/pcs
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IRFBE20STRL Descripción detallada

Número de pieza IRFBE20STRL
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 800V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 1.8A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 530pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5 Ohm @ 1.1A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor D2PAK
Paquete / caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso -
País de origen -

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