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| Numero di parte | BS250KL-TR1-E3 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 270mA (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3nC @ 15V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 800mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 500mA, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-18RM |
| Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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BS250CSM4 | SEME-LAB | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE IN A CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FOR HIGH REL APPLICATIONS | Dettagli |
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BS250FTC | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 45V 0.09A SOT23-3 | Dettagli |
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BS250KL | VISHAY | P-Channel 60-V (D-S) MOSFET | Dettagli |
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BS250KL-TR1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 270MA TO92-18RM | Dettagli |
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BS250P | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 45V 230MA TO92-3 | Dettagli |
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BS250PSTOB | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 45V 0.23A TO92-3 | Dettagli |
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