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| Numero di parte | BS250PSTZ |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 45V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 230mA (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 60pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 700mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 Ohm @ 200mA, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | E-Line (TO-92 compatible) |
| Pacchetto / caso | E-Line-3 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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BS2-IC | Parallax Inc. | BASIC STAMP II MODULE | Dettagli |
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BS208 | DIODES | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DMOS TRANSISTOR | Dettagli |
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BS209 | GE | DMOS Transistors (P-Channel) | Dettagli |
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BS20P-SHF-1AA(LF)(SN) | JST Sales America Inc. | CONN HEADER R/A 20POS NH | Dettagli |
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BS2100F-E2 | Rohm Semiconductor | IC DVR IGBT/MOSFET | Dettagli |
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BS2101F-E2 | Rohm Semiconductor | 600V HIGH VOLTAGE HIGH LOW-SID | Dettagli |
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BS2103F-E2 | Rohm Semiconductor | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOP | Dettagli |
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BS2130F-GE2 | Rohm Semiconductor | 600V HIGH VOLTAGE 3 PHASE BRIDGE | Dettagli |
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BS21P-SHF-1AA(LF)(SN) | JST Sales America Inc. | CONN HEADER R/A 21POS 2.5MM | Dettagli |
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BS22-C | Panduit Corp | CONN SPLICE 22-26 AWG CRIMP | Dettagli |
