2N5433-E3

2N5433-E3 - Vishay Siliconix

Numero di parte
2N5433-E3
fabbricante
Vishay Siliconix
Breve descrizione
JFET N-CH 25V 0.3W TO-52
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - JFET
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Codice data
New
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2N5433-E3 Descrizione dettagliata

Numero di parte 2N5433-E3
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 25V
Drain to Source Voltage (Vdss) -
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) 100mA @ 15V
Scarico corrente (Id) - max -
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id 3V @ 3nA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 30pF @ 0V
Resistenza - RDS (On) -
Potenza - Max 300mW
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-206AC, TO-52-3 Metal Can
Pacchetto dispositivo fornitore TO-206AC (TO-52)
Peso -
Paese d'origine -

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