2N5433-E3

2N5433-E3 - Vishay Siliconix

Numéro d'article
2N5433-E3
Fabricant
Vishay Siliconix
Brève description
JFET N-CH 25V 0.3W TO-52
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Fiche technique PDF Download
2N5433-E3.pdf
Catégorie
Transistors - JFET
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
4385 pcs
Prix ​​de référence
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2N5433-E3 Description détaillée

Numéro d'article 2N5433-E3
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
Tension - Panne (V (BR) GSS) 25V
Drain à la tension de source (Vdss) -
Courant - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) 100mA @ 15V
Drain de courant (Id) - Max -
Tension - Coupure (VGS désactivé) @ Id 3V @ 3nA
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 30pF @ 0V
Résistance - RDS (On) -
Puissance - Max 300mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-206AC, TO-52-3 Metal Can
Package de périphérique fournisseur TO-206AC (TO-52)
Poids -
Pays d'origine -

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