TPN3300ANH,LQ

TPN3300ANH,LQ - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte
TPN3300ANH,LQ
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione
MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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1 Day
Codice data
New
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Prezzo di riferimento
USD 0.3748/pcs
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TPN3300ANH,LQ Descrizione dettagliata

Numero di parte TPN3300ANH,LQ
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 9.4A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 880pF @ 50V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 700mW (Ta), 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33 mOhm @ 4.7A, 10V
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Pacchetto / caso 8-PowerVDFN
Peso -
Paese d'origine -

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