TPN3300ANH,LQ

TPN3300ANH,LQ - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer
TPN3300ANH,LQ
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
7500 pcs
Referenzpreis
USD 0.3748/pcs
Unser Preis
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TPN3300ANH,LQ detaillierte Beschreibung

Artikelnummer TPN3300ANH,LQ
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 9.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 880pF @ 50V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 700mW (Ta), 27W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 33 mOhm @ 4.7A, 10V
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paket / Fall 8-PowerVDFN
Gewicht -
Ursprungsland -

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