TPH7R006PL,L1Q

TPH7R006PL,L1Q - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte
TPH7R006PL,L1Q
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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1 Day
Codice data
New
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Prezzo di riferimento
USD 0.5047/pcs
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TPH7R006PL,L1Q Descrizione dettagliata

Numero di parte TPH7R006PL,L1Q
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 60A
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1875pF @ 30V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 81W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5 mOhm @ 10A, 4.5V
temperatura di esercizio 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOP Advance (5x5)
Pacchetto / caso 8-PowerVDFN
Peso -
Paese d'origine -

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