TPH7R006PL,L1Q - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer	TPH7R006PL,L1Q
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	60A
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 200µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1875pF @ 30V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	81W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	13.5 mOhm @ 10A, 4.5V
Betriebstemperatur	175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	8-SOP Advance (5x5)
Paket / Fall	8-PowerVDFN
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
TPH7R006PL,L1Q	Toshiba Semiconductor and Storage	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR	Einzelheiten
TPH7R204PL,LQ	Toshiba Semiconductor and Storage	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR	Einzelheiten
TPH7R506NH,L1Q	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N CH 60V 22A 8-SOP ADV	Einzelheiten