TPH3R704PL,L1Q - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte	TPH3R704PL,L1Q
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	92A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 0.2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	27nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2500pF @ 20V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	960mW (Ta), 81W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.7 mOhm @ 46A, 10V
temperatura di esercizio	175°C
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SOP Advance (5x5)
Pacchetto / caso	8-PowerVDFN
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
TPH3R003PL,LQ	Toshiba Semiconductor and Storage	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR	Dettagli
TPH3R203NL,L1Q	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 30V 47A 8-SOP	Dettagli
TPH3R704PL,L1Q	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 40V 92A TSON	Dettagli