TPH3R704PL,L1Q - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer	TPH3R704PL,L1Q
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	40V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	92A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 0.2mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	27nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2500pF @ 20V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	960mW (Ta), 81W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	3.7 mOhm @ 46A, 10V
Betriebstemperatur	175°C
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	8-SOP Advance (5x5)
Paket / Fall	8-PowerVDFN
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
TPH3R003PL,LQ	Toshiba Semiconductor and Storage	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR	Einzelheiten
TPH3R203NL,L1Q	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 30V 47A 8-SOP	Einzelheiten
TPH3R704PL,L1Q	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 40V 92A TSON	Einzelheiten