TPCF8102(TE85L,F,M - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte: TPCF8102(TE85L,F,M
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione: MOSFET P-CH 20V 6A VS8 2-3U1A
Stato senza piombo / Stato RoHS: Senza piombo / RoHS
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Categoria: Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Codice data: New
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Numero di parte	TPCF8102(TE85L,F,M
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	6A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	19nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1550pF @ 10V
Vgs (massimo)	±8V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	30 mOhm @ 3A, 4.5V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	VS-8 (2.9x1.5)
Pacchetto / caso	8-SMD, Flat Lead
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
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