TPCF8102(TE85L,F,M - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza: TPCF8102(TE85L,F,M
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción: MOSFET P-CH 20V 6A VS8 2-3U1A
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Código de fecha: New
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Número de pieza	TPCF8102(TE85L,F,M
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	6A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 200µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	19nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1550pF @ 10V
Vgs (Max)	±8V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	30 mOhm @ 3A, 4.5V
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	VS-8 (2.9x1.5)
Paquete / caja	8-SMD, Flat Lead
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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