TPCA8A02-H(TE12LQM

TPCA8A02-H(TE12LQM - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte
TPCA8A02-H(TE12LQM
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione
MOSFET N-CH 30V 34A 8SOP ADV
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Codice data
New
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TPCA8A02-H(TE12LQM Descrizione dettagliata

Numero di parte TPCA8A02-H(TE12LQM
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 34A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3430pF @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1.6W (Ta), 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.3 mOhm @ 17A, 10V
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOP Advance (5x5)
Pacchetto / caso 8-PowerVDFN
Peso -
Paese d'origine -

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