TPCA8A02-H(TE12LQM - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer	TPCA8A02-H(TE12LQM
Teilstatus	Obsolete
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	34A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	36nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3430pF @ 10V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	1.6W (Ta), 45W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	5.3 mOhm @ 17A, 10V
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	8-SOP Advance (5x5)
Paket / Fall	8-PowerVDFN
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
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